フェニテックセミコンダクター株式会社
フェニテックセミコンダクター

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  • 正社員
業種
半導体・電子部品・その他
本社
岡山、鹿児島

私たちはこんな事業をしています

当社は、製品性能を決定する要素の高い半導体製造の前工程を専門とする独立系ファンドリーです。主に開発設計・生産を手がけるパワー半導体は、IoTをはじめ、電気自動車や自動運転技術などの最先端分野に使われるアプリケーションには不可欠なデバイスであり省エネにも大きく貢献します。その技術力・品質の評価は非常に高く、日本はもとより、アメリカ・中国・台湾などワールドワイドに半導体製品を提供しています。

当社の魅力はここ!!

事業・商品の特徴

IoTや電気自動車が普及すればするほどチャンスが拡大

私たちの日常生活や様々な産業分野では、あらゆるモノがインターネットに接続され、機器を制御するIoTが急速に普及しています。さらに電気自動車や自動運転技術も進化する中で、なくてはならないものがパワー半導体です。最先端の技術を制御するところに、必ずこのパワー半導体が使われることから、IoTや電気自動車の急速な普及は、当社の大きなチャンスでもあるのです。

事業優位性

ジャパン・メイドの高い品質で世界中の半導体企業をお客様に

半導体の製造設備を整えるには莫大な資金が必要であり、量産体制立上げ前にもランニングコストがかかります。開発スパンも短いため、すべてのメーカーが半導体製造設備(ファブ)を自社で整えるわけではありません。そこで製造を専業とするファンドリーである当社の役割が重視されます。長年蓄積してきた開発設計と量産の技術は当社の財産です。さらに独立系であることから、アメリカ・中国・台湾など世界中の様々なお客様からご依頼を受け、優れた品質・適正な価格・短納期で高い評価を受けています。岡山に拠点を置き続けることでジャパン・クオリティに磨きをかけ、“フェニテック品質”を求める世界中の半導体企業から支持されています。

技術力・開発力

約半分の製品は自社設計品 次世代のパワー半導体の開発にも着手

半導体ファンドリー事業はお客様から生産委託を受けて半完成品を納品しますが、「フェニテックが開発した独自の技術力」、もしくは「お客様のノウハウ」のどちらかで生産しています。お客様から大量に受注をいただく際はお客様のノウハウで生産し、特殊なものを受注する際はフェニテック独自の技術力を活かしてオリジナル製品を生産します。その柔軟な姿勢も当社の強みであり、日々技術研鑽に取り組んできたからこそできることです。化合物半導体材料SiC(シリコンカーバイト)を使った次世代のパワー半導体の開発を進めています。シリコンよりもはるかに優れた特性を持ち、新たな材料として期待されています。

みなさんにはこんな仕事をしていただきます

量産の立上げを行う製造グループのほか、製品技術グループではMOSFET、IGBTなど製品ジャンル別に、化合物開発課ではSiCなど材料別に担当して技術開発に取り組んでいただき高品質・低コスト・短納期を目標に、安定かつ高い生産性の量産体制を構築します。

会社データ

事業内容 半導体素子、半導体製品製造

半導体製造における前工程を専業としています。
前工程は半導体製品の性能を決める過程であり、高精度の加工技術や管理環境が求められるます。
開発・設計・製造・検査を自社で行っています。
設立 昭和43年10月
資本金 16億円
従業員数 681名(2020年4月)
売上高 133億円(2019年度)
代表者 代表取締役社長 石井 弘幸
事業所 本社工場・本社営業部/岡山県井原市木之子町150番地
第一工場/岡山県井原市木之子町6833番地
鹿児島工場/鹿児島県姶良郡湧水町北方1770-1
京都デザインセンター・海外営業部/京都市下京区中堂寺粟田町93番地 リサーチパーク4号館
半導体技能士 半導体製品製造技能士特級(42名)
半導体製品製造技能士1級(60名)
半導体製品製造技能士2級(80名)
沿革 昭和43年10月 シンコー電器株式会社設立 資本金1500万円
51年3月 ダイオード素子の製造開始
54年7月 資本金4,000万円に増資
58年12月 ツェナーダイオード素子製造開始
59年9月 トランジスタ素子製造開始
63年5月 TPM活動キックオフ
平成元年5月 EPI工場完成
2年8月 第一工場完成 パワーMOS、CMOS生産開始
9月 PM優秀事業賞受賞
10月 バイポーラIC製造開始
9年8月 ISO9002認証取得 JQA-1829
10年10月 社名をフェニテックセミコンダクター株式会社に変更
11月 QS9000;1998認証取得
11年10月 VDA6(ドイツ版QS9000)認証
12月 第一工場(FAB2)完成
13年8月 6インチライン量産開始
14年4月 ISO14001認証取得
8月 京都デザインセンター設置
15年11月 ISO9001:2000移行.格上げ
12月 第一工場(FAB3)完成
16年5月 ISO/TS16949:2002認証取得
17年6月 資本金3億3千万円に増資
20年3月 資本金3億8千万円に増資
27年10月 鹿児島工場操業
28年4月 トレックス・セミコンダクター株式会社と資本業務提携を締結
30年4月 資本金16億円に増資
8月 第一工場(FAB4)完成
9月 IATF:2016認証取得
11月 ISO9001:2015認証取得
令和2年3月 ISO45001:2018認証取得
トップメッセージ 当社は、半導体の前工程といわれるウェハープロセスを専業としており、ビジネスモデルとしては、ファンドリー(ウェハーレベルでの受託生産)が中心です。お客様はIDMと呼ばれる設計開発から製造(ウェハープロセス~パッケージ)販売を一貫でされるところ、ファブレスと呼ばれる設計開発と販売をされるところ(親会社であるトレックス・セミコンダクターなど)、及び当社の特長の一つである当社が設計開発を行い製造しお客様がパッケージ・販売をされるところがあります。
Si(シリコン)を材料とするPower MOSFET、IGBT、SBDなど電力制御を行うパワー半導体、トレックス・セミコンダクターの主力製品である電源用CMOS IC、Siの物理的限界を大きく超えるSiC(シリコンカーバイト)を材料とするSBDなど省エネ思考のデバイスを日本で生産することにより、地球環境の保全に貢献できることを切に願っています。

代表取締役社長 石井 弘幸

連絡先

フェニテックセミコンダクター株式会社
管理本部 採用担当 佐藤
電話 0866-62-4121
住所 岡山県井原市木之子町150番地
URL http://www.phenitec.co.jp/
掲載開始:2021/02/15

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