フェニテックセミコンダクター株式会社
フェニテックセミコンダクター
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  • 正社員
業種
半導体・電子部品・その他
本社
岡山、鹿児島

私たちはこんな事業をしています

当社は、製品性能を決定する要素の高い、半導体製造の前工程を専門とする独立系ファンドリーです。主に開発設計・生産を手がけるパワー半導体は、IoTをはじめ、電気自動車や自動運転技術などの最先端分野に使われるアプリケーションには不可欠なデバイス。しかも省エネに大きく貢献します。その技術力・品質とも非常に評価は高く、日本はもとより、アメリカ、中国、台湾など、ワールドワイドに半導体製品を提供しています。

当社の魅力はここ!!

事業・商品の特徴

IoTや電気自動車が普及すればするほどチャンスが拡大

私たちの日常生活や様々な産業分野では、あらゆるモノがインターネットに接続され、機器を制御するIoTが急速に普及しています。さらに電気自動車や自動運転技術も進化する中で、なくてはならないものがパワー半導体です。ダイオード、トランジスタ、Power MOSFET、IGBTなど電力を変換する半導体のことで、単一機能で動作することからディスクリート(個別)と呼ばれます。当社はこのディスクリート半導体を手がける数少ない独立系ファンドリー企業であり、日本で専業しているのは当社だけです。最先端の技術を制御するところに、必ずこのパワー半導体が使われることから、IoTや電気自動車の急速な普及は、当社の大きなチャンスでもあるのです。

事業優位性

ジャパン・メイドの高い品質で世界中の半導体企業をお客様に

半導体の製造設備を整えるには大きな資本が必要で、また稼動していなくてもコストがかかります。開発スパンも短いため、すべてのメーカーが半導体製造設備(ファブ)を自社で整えるわけではありません。そこで製造を専業とするファンドリーである当社の役割が重視されます。長年蓄積してきた開発設計と量産の技術は、当社の財産。さらに独立系であることから、アメリカ、中国、台湾、韓国など世界中の様々なお客様からご依頼を受け、優れた品質、適正な価格、そして納期の面で高い評価を受けています。岡山に拠点を置き続けることでジャパン・クオリティに磨きをかけ、“フェニテック品質”を求める世界中の半導体企業から支持され続けています。

技術力・開発力

約半分の製品は自社設計品。次世代のパワー半導体の開発にも着手

半導体ファンドリー事業は、お客様から生産委託を受けて半完成品を納品しますが、「フェニテックが開発した独自の技術力」、もしくは「お客様のノウハウ」のどちらかで生産しています。お客様から大量に受注をいただく時には、お客様のノウハウで生産するほうが早く、特殊なものを受託する場合は、フェニテックのノウハウを活かしてオリジナルで設計。その柔軟な姿勢も当社の強みであり、日々進化する技術に取り組んできたからこそできることです。最近では、化合物半導体材料SiC(シリコンカーバイト)を使った次世代のパワー半導体の開発にも着手。シリコンよりもはるかに優れた特性を持ち、次世代のパワー半導体材料として期待されています。

みなさんにはこんな仕事をしていただきます

量産の立上げを行う製造グループのほか、製品技術グループではMOSFET、IGBTなど製品ジャンル別に、化合物開発課ではSiCなど材料別に担当して技術開発に取り組んでいます。日本、ドイツ、アメリカの品質マネジメントシステムを導入・認証取得のもと、低コスト、短納期、高品質に努め、安定かつ高生産性の量産体制を実現します。

会社データ

事業内容 半導体素子、半導体製品製造

<本社工場主要製品>
トランジスタ/ダイオード
<第一工場主要製品>
CMOS/MOSFET/IGBT/バイポーラIC/トランジスタ/ダイオード

量産ベースにおける対応可能な最小設計ルールは0.6μm(2014年10月時点)。
試作ベースにおいては0.35μmへの対応を目指しています。
設立 昭和43年10月
資本金 3億8000万円
従業員数 656名(2017年1月)
売上高 137億円(2016年度)
代表者 代表取締役社長 谷 英昭
事業所 本社工場・本社営業部/岡山県井原市木之子町150番地
第一工場/岡山県井原市木之子町6833番地
鹿児島工場/鹿児島県姶良郡湧水町北方1770-1
京都デザインセンター・海外営業部/京都市下京区中堂寺粟田町93番地 リサーチパーク4号館
半導体技能士 半導体製品製造技能士特級(29名)
半導体製品製造技能士1級(69名)
半導体製品製造技能士2級(65名)
沿革 昭和43年10月 シンコー電器株式会社設立 資本金1500万円
51年3月 ダイオード素子の製造開始
54年7月 資本金4,000万円に増資
58年12月 ツェナーダイオード素子製造開始
59年9月 トランジスタ素子製造開始
63年5月 TPM活動キックオフ
平成元年5月 EPI工場完成
2年8月 第一工場完成 パワーMOS、CMOS生産開始
9月 PM優秀事業賞受賞
10月 バイポーラIC製造開始
9年8月 ISO9002認証取得 JQA-1829
10年10月 社名をフェニテックセミコンダクター株式会社に変更
11月 QS9000;1998認証取得
11年10月 VDA6(ドイツ版QS9000)認証
12月 第一工場(FAB2)完成
13年8月 6インチライン量産開始
14年4月 ISO14001認証取得
8月 京都デザインセンター設置
15年11月 ISO9001:2000移行.格上げ
12月 第一工場(FAB3)完成
16年5月 ISO/TS16949:2002認証取得
17年6月 資本金3億3千万円に増資
20年3月 資本金3億8千万円に増資
27年10月 鹿児島工場操業
28年4月 トレックス・セミコンダクター株式会社と資本業務提携を締結
トップメッセージ 1976年から40年以上、あらゆるお客様の半導体製造で培ったノウハウは非常に大きく、ディスクリート半導体はエレクトロニクス機器の一部品、いわばネジに過ぎないとはいえ、フェニテックで創られる製品は優れた機能、品質を実現しています。また、すべてのものが電力でコントロールされる以上、パワー半導体は必需品であり、省エネによって環境保護に役立つ存在でもあります。コスト競争にはなるべく加わらず、「フェニテックの製品でなければならない」というお客様に対して、品質の高いものづくりを日本の地で続けてきた結果、今では世界中の半導体企業から声がかかる企業へと成長した私たち。2015年には、少量多品種に対応する鹿児島工場が稼働し、第二工場に新たな工場を増設する計画も進行中です。今後ますます需要が予想される車載用、産業用分野をターゲットに、広島大学と共同で化合物半導体開発に取り組むなど、次世代のパワー半導体の開発も加速しています。「次の10年に向けて、世界に認知される企業へ!」というスローガンのもと、フェニテックは市場の広がりをさらに成長するチャンスに変えていきます。

代表取締役社長 谷 英昭

連絡先

フェニテックセミコンダクター株式会社
管理本部 採用担当 仁城(にんじょう)
電話 0866-62-4121
住所 岡山県井原市木之子町150番地
URL http://www.phenitec.co.jp/
掲載開始:2018/03/01

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